P Penelitian ini bertujuan menghasilkan rancangan HBT SiGe yang dapat bekerja secara optimal untuk aplikasi digital. Metode penelitian yang dilakukan diuraikan sebagai berikut: Setelah penelusuran jurnal terkait yang terbaru dilakukan , model parameter fisika bahan semikonduktor pada program simulasi Bipole3 dikalibrasi dengan parameter fisika Si dan SiGe yang diperoleh dari berbagai jurnal dan telah digunakan secara luas. Setelah itu dilakukan kalibrasi dengan data pengukuran HBT SiGe yang telah difabrikasi oleh grup IBM untuk mengetahui perbedaan hasil simulasi dengan hasil pengukuran. Berikutnya dilakukan simulasi untuk mengetahui pengaruh penskalaan pada arah lateral dan vertikal terhadap FOM HBT SiGe. Akhirnya dilakukan perancangan ukuran atau dimensi divais, profil doping pada emiter, basis, kolektor serta profil Ge pada basis agar dapat diperoleh divais yang optimal untuk aplikasi digital. Penelitian dilakukan dengan perangkat lunak komersial Bipole3 versi 5.3.1G. Beberapa kesimpulan penting yang dapat diambil adalah: Penskalaan pada arah lateral dapat meningkatkan frekuensi osilasi maksimum, menurunkan penguatan arus dan ECL gate delay secara signifikan. Mempersempit basis dapat meningkatkan frejuensi cutoff dan penguatan arus. Profil Ge rata dapat memberikan penguatan arus lebih tinggi dari profil Ge trapesium. Meningkatkan konsentasi doping kolektor dapat meningkatkan frekuensi cutoff tetapi akan menurunkan tegangan breakdown kolektor-emiter. Dan dapat diperoleh rancangan HBT SiGe yang mempunyai frekuensi cutoff maksimum 203 GHz, frekuensi osilasi maksimum 260 GHz, ECL gate delay 4,5 ps, penguatan arus maksimum 522 dan tegangan breakdown kolektor-emiter 1,7V