DETAIL KOLEKSI

Pemodelan heterojunction bipolar transistor silikon germanium : tahun ke 2 dari rencana 2 tahun


Oleh : E. Shintadewi Julian, Rudy S. Wahjudi

Info Katalog

Penerbit : Lemlit - Usakti

Kota Terbit : Jakarta

Tahun Terbit : 2014

Subyek : Bipolar transistors

Kata Kunci : heterojunction bipolar transistors, silicon germanium


File Repositori
No. Nama File Ukuran (KB) Status
1. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_1.pdf 950.68
2. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_2.pdf 765.74
3. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_3.pdf 1567.53
4. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_4.pdf 531.13
5. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_5.pdf 1571.39
6. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_6.pdf 3419.88
7. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_7.pdf 3108
8. 2014_LP_EL_Pemodelan-Heterojunction-Bipolar_8.pdf 9530.55

P Penelitian ini bertujuan menghasilkan model matematik yang dapat digunakan untuk memprediksi pengaruh skala terhadap kinerja HBT SiGe. Penelitian diawali dengan mempelajari model-model transistor bipolar secara umum dan HBT SiGe secara khusus. Kemudian mengumpulkan data-data yang menunjukan hubungan antara ukuran terhadap kinerja HBT SiGe hasil eksperimen yang telah dipublikasikan. Selanjutnya dilakukan penyusunan model pengaruh skala terhadap kinerja HBT SiGe. Kemudian dilakukan verifikasi model dengan model lain yang telah dipublikasikan. Diperoleh hasil dan dapat disimpukan bahwa: 1). Telah diperoleh model pengaruh skala terhadap kinerja HBT SiGe. 2). Model skala frekuensi 3). Model skala frekuensi osilasi maksimum 4). Model skala gate delay

Bagaimana Anda menilai Koleksi ini ?