P Penelitian ini bertujuan menghasilkan model matematik yang dapat digunakan untuk memprediksi pengaruh skala terhadap kinerja HBT SiGe. Penelitian diawali dengan mempelajari model-model transistor bipolar secara umum dan HBT SiGe secara khusus. Kemudian mengumpulkan data-data yang menunjukan hubungan antara ukuran terhadap kinerja HBT SiGe hasil eksperimen yang telah dipublikasikan. Selanjutnya dilakukan penyusunan model pengaruh skala terhadap kinerja HBT SiGe. Kemudian dilakukan verifikasi model dengan model lain yang telah dipublikasikan. Diperoleh hasil dan dapat disimpukan bahwa: 1). Telah diperoleh model pengaruh skala terhadap kinerja HBT SiGe. 2). Model skala frekuensi 3). Model skala frekuensi osilasi maksimum 4). Model skala gate delay